He＋辐照对Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜铁磁性的改善

摘要：

离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He~＋辐照Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜,可以较方便的调制Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜的铁磁性,可以通过He~＋的辐照来得到改善,其结果是Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜的矫顽力可以增加3倍多.当He~＋辐照流强增加时,居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了.被辐照的Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜的电学性质和结构特征显示,He~＋辐照Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性,其结果源于He~＋辐照Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿,而不是He~＋辐照改变了Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜的结构.

关键词：离子辐照、铁磁性、磁阻

所属期刊栏目：61

分类号：O482.523(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50802041 50872050;国家重点基础研究发展计划973项目2011CB832923;廊坊师范学院重点项目LSZZ201 101;Project supported by the National Natural Science Foundation of China10875004 11005005;the National Basic Research Program of China2010CB832904

在线出版日期：2012-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：326-331