Cr,Mg：GSGG晶体生长、光谱性能及Cr4＋形成机理的研究

摘要：

采用传统提拉法单晶生长技术成功生长出了Cr,Mg：GSGG晶体,并对生长出的晶体样品进行了氧化气氛和还原气氛退火处理.通过对比分析退火处理前后样品吸收光谱的变化,推断出晶体中四面体配位Cr~（4＋）离子的形成机理为：晶体生长和高温氧化气氛退火的过程中,四价Cr~（4＋）离子首先在八面体格位上形成,然后在热激发作用下与邻近四面体格位上的Ga~（3＋）离子发生置换反应,从而形成一定浓度的四面体配位Cr~（4＋）离子.实验结果还表明,随着电荷补偿离子Mg~（2＋）离子浓度的增大,更有利于提高四面体配位Cr~（4＋）离子的浓度.

关键词：Cr、Mg：GSGG单晶、退火处理、四面体格位、光谱性质

所属期刊栏目：61

分类号：O781(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金60938001 60908030

在线出版日期：2012-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：481-485