N型掺杂应变Ge发光性质

摘要：

应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐射复合以及俄歇复合、位错等引起的非辐射复合的竞争,计算了N型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质.结果表明,张应变可有效增强Ge材料直接带隙跃迁发光.在1.5%张应变条件下,N型掺杂Ge的最大内量子效率可以达到74.6%,光增益可以与Ⅲ-V族材料相比拟.

关键词：应变、N型掺杂Ge、量子效率、光增益

所属期刊栏目：61

分类号：TN104.3(真空电子技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2007CB613404;国家自然科学基金61036003 60837001;中央高校基础业务费项目2010121056;信息功能材料国家重点实验室开放课题资助的课题

在线出版日期：2012-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：356-363