反对称n-AlGaN层对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响

摘要：

采用数值分析方法对在InGaN/GaN混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入n-A1GaN层的GaN基双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果发现,与传统的具有p-A1GaN电子阻挡层的双蓝光波长发光二极管相比,这种反对称n-A1GaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变A1组分可以提高双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性：当A1组分为0.16时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流下比较稳定,而A1组分为0.12时,光谱在大电流下比较稳定.

关键词：n-AlGaN、p-AlGaN、混合多量子阱、双蓝光波长

所属期刊栏目：61

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金20091001;广东省教育部产学研结合项目2009B090300338;国家自然科学基金8251063101000-007;华南师范大学学生课外科研重点课题项目10GDKC07

在线出版日期：2012-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：330-337