超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究

摘要：

本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏（LDD）nMOSFET栅电压V_G对栅致漏极泄漏（GIDL）电流I_D的影响,发现不同V_G下ln（I_D/（V_（DG）-1.2））-1/（V_（DG）-1.2）曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象.通过比较V_G变化下ln（I_D/V_（DG）-1.2））的差值,得出V_G与这种分裂现象之间的作用机理,分裂现象的产生归因于V_G的改变影响了GIDL电流横向空穴隧穿部分所致.随着｜V_G｜的变小,ln（I_D/（V_（DG）-1.2））曲线的斜率的绝对值变小.进一步发现不同V_G对应的1n（I_D/（V_（DG）-1.2））曲线的斜率c及截距d与V_G呈线性关系,c,d曲线的斜率分别为3.09和-0.77.c与d定量的体现了超薄栅超短沟器件中V_G对GIDL电流的影响,基于此,提出了一个引入V_G影响的新GIDL电流关系式.

关键词：GlDL、带带隧穿、CMOS、LDD、nMOSFET

所属期刊栏目：61

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：西安应用材料创新基金XA-AM-201012;西安邮电学院青年教师科研基金ZL2010-19

在线出版日期：2012-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：509-515