基于单电子晶体管-金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现

摘要：

提出了一种利用单电子晶体管与金属氧化物半导体的混合结构（SET-MOS）实现离散混沌系统的方法.研究了两个并联结构的单电子晶体管在电流源偏置下的传输特性,并建立其相应的S形分段线性函数模型.基于该模型实现了一维离散映射系统,分析了它的动力学特性,包括一维映射过程、分岔图和Lyapunov指数等.最后利用SET-MOS混合电路设计出该离散混沌系统的电子电路,验证了理论分析和实现方法的正确性.研究结果表明,该方法不仅可行,而且物理实现结构简单,利于集成.

关键词：离散映射、Lyapunov指数、分岔、电路实现

所属期刊栏目：60

分类号：TN304.21(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61172043;陕西省自然科学基础研究计划重点项目2011JZ015;陕西省电子信息系统综合集成重点实验室基金201115Y15

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：86-91