负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展

摘要：

结合国内和国外的最新研究成果,论述了目前在NEAGaN真空面电子源研究方面的现状.从光电发射理论、表面净化方法、阴极激活工艺、光谱响应测试以及材料本身特性等方面针对GaN真空电子源的研究取得了一定成绩：初步研究了NEAGaN电子源的光电发射机理;给出了可获得原子级清洁表面的净化方法;采用Cs或Cs/O对GaN材料进行了有效激活;测试了GaN真空电子源材料的光谱响应;探讨了影响电子源量子效率的材料特性.指出了下一步研究需要关注的内容.

关键词：NEA、GaN、电子源、光谱响应

所属期刊栏目：60

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60871012

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：850-856