一种考虑IGBT基区载流子注入条件的物理模型
提出了一种考虑绝缘栅极双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）基区载流子不同注入条件的物理模型.在小注入和大注入情况下,分别建立描述IGBT基区载流子运动的输运方程（ambipolar transport equation,ATE）,并确定边界条件.采用傅里叶级数法求解载流子输运方程,并将计算结果分别与IGBT手册提供的实验数据和Hefner模型计算结果相比较,验证了本文提出物理模型的正确性.
绝缘栅极双极晶体管、物理模型、注入条件、双极输运方程
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O4-4
国家自然科学基金50977063;国家高技术研究发展计划2008AA11A145;天津市科技支撑计划重点项目09ZCKFGX01800
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
722-727
