高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究

摘要：

为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率（≈43%）曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为：窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.3—0.5μm,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.1—1.4μm.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4μm厚的Ga1-xAlxAs（x=0.7）窗口层和1.1—1.5μm厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350μA/lm以上.

关键词：透射式GaAs光电阴极、量子效率、积分灵敏度、光学性能

所属期刊栏目：60

分类号：TN103(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金60678043;江苏省普通高校研究生科研创新计划CX09B_096Z;南京理工大学自主科研专项计划2010ZYTS032

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：679-685