TiO2分子在GaN（0001）表面吸附的理论研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了TiO2分子在GaN（0001）表面的吸附成键过程、吸附能量和吸附位置.计算结果表明不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga—O化学键表现出共价键特征,化学结合能达到7.932—7.943eV,O—O连线与GaN[110]方向平行,与实验观测（100）[001]TiO2//（0001）[110]GaN一致.通过动力学过程计算分析,TiO2分子吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,稳定吸附结构和优化结果一致.

关键词：GaN(0001)表面、TiO2分子、密度泛函理论、吸附

所属期刊栏目：60

分类号：O647.3(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金50942025 51172150;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题KFJJ200811

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：530-535