由单负材料组成的含有缺陷层的一维光子晶体结构中的缺陷模
用转移矩阵方法研究了由单负材料组成的含有缺陷层的一维光子晶体的透射特性.研究结果表明:当缺陷层存在时,会在原有光子晶体的禁带中出现缺陷模.缺陷模的位置随杂质层磁导率μ的增加从禁带的高频端向低频端移动;但随杂质层介电常数ε的增加却从禁带的低频端向高频端移动.利用该特性可以实现对光传播的动态调控.
单负材料、光子晶体、缺陷模
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O734(晶体物理)
南京航空航天大学基金NS2010207
2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
301-306