AlN/InN和AlN/GaN超晶格能带结构研究

摘要：

利用Krnig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了纤锌矿型AlN/InN和AlN/GaN超晶格系统的能带结构及不同应变模式对能带结构的影响,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同亚层厚度的系统禁带宽度和导带第一子禁带宽度.研究发现,通过改变亚层厚度可以从不同形式设计能带结构,应变会改变系统禁带宽度,使带阶和子能带明显窄化,价带结构趋于复杂甚至生成准能带结构.与实验结果对比后发现,该模型适于模拟窄势阱结构超晶格,而对于宽势阱则必须考虑内建电场的作用.

关键词：AlN/InN和AlN/GaN超晶格、Krnig-Penney模型、应变、子能带

所属期刊栏目：60

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金20071108

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：693-702