电介质表面纵向射频电场对次级电子倍增效应的影响

摘要：

基于次级电子倍增动力学模型和次级电子发射曲线,运用蒙特卡罗方法模拟电介质表面具有纵向射频电场作用下的单边次级电子倍增现象,研究次级电子倍增的表面电场敏感曲线和时间演化图像.以一个S波段射频介质窗为例,计算次级电子在其介质表面的沉积功率.结果表明,纵向射频电场可能加剧电介质表面的次级电子倍增效应,易于导致介质片破裂,不利于高频能量传输.

关键词：纵向射频场、次级电子倍增效应、蒙特卡罗方法、功率沉积

所属期刊栏目：60

分类号：TN123(真空电子技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划2007AA12Z124

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：200-208