牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管P型接触影响的研究术
本文通过在硅衬底发光二极管（LED）薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层，将其在N2：O2=4：1的气氛中、400℃-750℃的温度范围内进行退火，在去掉薄膜表面Nj覆盖层之后制备Pt／p-GaN欧姆接触层．实验结果表明：退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜P型欧姆接触有重要影响，Ni覆盖退火能够显著降低P型层中Mg受主的激活温度．经牺牲Ni退火后，P型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律，随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势；经过优化后，当Ni覆盖层厚度为1．5nm，退火温度为450℃，Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6．1×10^-5Ω·cm。．
氯化镓、发光二极管．牺牲Ni退火、P型接触
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TN304.23(半导体技术)
教育部长江学者与创新团队发展计划IRT0730;国家自然科学基金51072076;61040060
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
808-813
