SOI部分耗尽SiGeHBT集电结空间电荷区模型
SOI上的薄膜异质SiGe晶体管通过采用“折叠”集电极，已成功实现SOI上CMOS与HBT的兼容．本文结合SOI薄膜上的纵向SiGeHBT结构模型，提出了包含纵向、横向欧姆电阻和耗尽电容的“部分耗尽（partially depleted）晶体管”集电区简化电路模型．基于器件物理及实际考虑，系统建立了外延集电层电场、电势、耗尽宽度模型，并根据该模型对不同器件结构参数进行分析．结果表明，空间电荷区表现为本征集电结耗尽与MOS电容耗尽，空间电荷区宽度随集电结掺杂浓度减小而增大，随集电结反偏电压提高而增大，随衬底电压减小而增大，直到集电区纵向全部耗尽，然后开始横向扩展．该模型为新一代基于SOI的SiGe毫米波BiCMOS电路设计和仿真提供了重要参考．
SOI、SiGe、HBT、集电区、空间电荷区模型
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TN304.23(半导体技术)
国家部委资助项目51308040203;6139801;中央高校基本科研业务费72105499;72104089;陕西省自然科学基础研究计划2010JQ8008
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
799-807
