循环氧化／退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究

摘要：

采用超高真空化学气相淀积系统在SOl（绝缘体上硅）衬底上生长了Si0.02 Ge0.18外延层，通过循环氧化／退火工艺，制备出Ge组分从0．24到1的绝缘体上锗硅（SGOI）材料．采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质，对氧化过程中SiGe层中的Ge组分和应变的演变进行了分析．最后制备出11 nm厚的绝缘体上Ge材料（GeOI），具有完整的晶格结构和平整的界面．室温下观测到绝缘体上Ge直接带跃迁光致发光，发光峰值位于1540nm，发光强度随激发功率线性变化．结果表明用循环氧化／退火方法制备的GeOI材料具有高的结晶质量，可用于Ge光电子和微电子器件．

关键词：GeOI、氧化、退火、光致发光谱

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分类号：TN304.12(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2007CB613404;国家自然科学基金61036003和60837001

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：779-783