应变Si／（001）Si1-x Gex电子迁移率

摘要：

依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型，在考虑电子谷间占有率的基础上，通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下，不同杂质浓度时应变si／（001）Si1-x Gex的电子迁移率．结果表明：当锗组分达到0．2时，电子几乎全部占据△：能谷；低掺杂时，锗组分为0．4的应变si电子迁移率与体硅相比增加约64％；对于张应变SiNMOS器件，从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道．选择相应的参数，该方法同样适用于应变si其他晶面任意方向电子迁移率的计算，为应变si器件、电路的设计提供了一定的设计依据．

关键词：电子谷间占有率、散射模型、锗组分、电子迁移率

所属期刊栏目：60

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家部委项目51308040203;9140A08060407DZ0103;6139801

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：618-624