亚100nm应变Si／SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型
本文基于二维泊松方程，建立了适用于亚100nm应变Si／SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型．为了保证该模型的准确性，同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应，如短沟道效应，量子化效应等．通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果进行对比分析，证明了本文提出的模型的正确性．最后，还讨论了亚100nm器件中常规工艺对阈值电压的影响．该模型为亚100nm小尺寸应变si器件的分析设计提供了一定的参考．
亚lOOnm、应变Si/SiGe、nMOSFET、二维表面势、阈值电压
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TN431.2(微电子学、集成电路（IC）)
国家部委资助项目51308040203;6139801;中央高校基本科研业务费72105499;72104089;陕西省自然科学基础研究计划2010JQ8008
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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