纳米折叠InGaN／GaNLED材料生长及器件特性

摘要：

在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上，利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN／GaN多量子阱（MQW）的LED结构外延片，进而制作了LED器件．外延片上中下游的光致荧光测试，结果表明外延片具有很好的均匀性．用该外延片制作的LED的电致发光谱，随注入电流增加没有明显蓝移，这表明纳米结构能更好地释放应力，纳米柱上外延生长的多量子阱，具有较低的压电极化电场．正向工作电流20mA时，LED器件的工作电压为4．6V．

关键词：纳米柱LED、光致发光、电致发光

所属期刊栏目：60

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：天津市自然科学基金IOJCYBJC03000;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室资助的课题

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：508-511