光通信用雪崩光电二极管（APD）频率响应特性研究

摘要：

吸收层、电荷层和倍增层分离结构雪崩光电二极管（SACM-APD），包括InP／InGaAs、InAlAs／InGaAs和Si／GeAPD是光通信领域近年来研究的热点．本文基于电路模型，系统比较了不同外延层厚度、不同材料以及不同结构APD的频率响应特性，重点探讨Si／GeAPD吸收层厚度、光敏面大小、寄生参数等各项参数对带宽的影响，仿真结果与实际器件实验数据相符合．本文的研究成果对SACM—APD的优化设计具有指导意义．

关键词：SACM-APD、电路模型、频率响应

所属期刊栏目：60

分类号：TN364.2(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划2008AA012207;湖北省自然科学基金2010CDB01606;华为公司创新研究计划YJCB2010032NW;教育部留学归国基金资助的课题

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：195-204