基于Wenzel模型的粗糙界面异质形核分析

摘要：

异质形核是形核发生的主要形式.经典形核理论对基底界面作了理想化平面假设,然而实际异质形核体系中理想平直的固体界面是不存在的,这导致了异质形核描述与实际情况的偏差.考察了固相晶胚在非平整界面上的异质形核过程,基于Wenzel润湿模型,分析了非理想界面的粗糙度因子对固相晶胚形核功的影响规律.结果表明:当基底与晶核之间的本征润湿角小于90°时,基底界面越粗糙越有利于形核;本征润湿角大于90°时,基底界面越粗糙越不利于形核.同时,游离晶胚在基底上润湿是球冠晶胚形成的重要途径,粗糙界面润湿过程中界面自由能的变化会对形核产生重要影响.

关键词：异质形核、粗糙界面、Wenzel模型、润湿过程

所属期刊栏目：60

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金50901061;50771083;凝固技术国家重点实验室基金02-TZ-2008;36-TP-2009

在线出版日期：2011-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：530-535