锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型

摘要：

基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%.

关键词：SiGe/Si异质结材料、化学气相淀积生长动力学模型、Grove理论、Fick第一定律

所属期刊栏目：60

分类号：O471(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划6139801-1;国防预研基金914A08060407DZ0103

在线出版日期：2011-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：440-446