ZnS掺Ag与Zn空位缺陷的电子结构和光学性质
本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Ag和Zn空位超晶胞进行结构优化处理.计算了三种体系下ZnS材料的电子结构和光学性质,并从理论上给出了p型ZnS难以形成的原因.详细分析了其平衡晶格常数、能带结构、电子态密度分布和光学性质.结果表明:在Ag掺杂与Zn空位ZnS体系中,由于缺陷能级的引入,禁带宽度有所减小,在可见光区电子跃迁明显增强.
硫化锌、缺陷、电子结构、光学性质
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O474(半导体物理学)
江苏省科技项目BG2007026
2011-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
607-613