Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管抗辐射特性的研究

摘要：

本文采用γ射线、高能电子和中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的抗辐射特性进行了研究.研究发现对于γ射线和1 MeV电子辐照,-30 V辐照偏压对器件的辐照效应没有明显的影响.经过1 Mrad(si)的γ射线或者1×1013 n/cm2的中子辐照后,Ti/4H-SiC肖特基接触都没有明显退化;经过3.43×1014e/cm2的1 MeV电子辐照后Ti/4H-SiC的势垒高度比辐照前轻微下降,这是由于高能电子引入的电离损伤造成的,且可以在常温下退火恢复.分别经过1 Mrad(Si)的γ射线和3.43×1014 e/cm2的电子辐照后,器件反向电流的变化都比较轻微,显示了良好的抗辐射特性.实验同时还发现电子和中子辐照会造成器件串联电阻增加.

关键词：碳化硅、肖特基、辐照、偏压

所属期刊栏目：60

分类号：TN311.7(半导体技术)

资助基金：西安市科技计划项目CXY1012;中央高校基本科研业务费专项资金CHD2010JC054

在线出版日期：2011-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：545-549