不同极性6H-SiC表面石墨烯的制备及其电子结构的研究
在超高真空设备中,采用高温退火的方法在6H-Sic两个极性面(0001)和(O001)面(即Si面和C面)外延石墨烯(EG).利用低能电子衍射(LEED)和同步辐射光电子能谱(SRPES)对样品的生长过程进行了原位研究,而后利用激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等实验技术对制备的样品进行了表征.结果表明我们在两种极性面均制备出了质量较好的石墨烯样品.而有关两种石墨烯的对比性研究发现:Si面EG呈同一取向而C面EG呈各向异性;Si面EG与衬底存在类似于金刚石C-sp3键的界面相互作用,受到衬底的影响较大,而C面EG与衬底的相互作用较弱,受到衬底的影响较小.
石墨烯、6H-SiC、同步辐射、电子结构
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O481(固体物理学)
国家自然科学基金50872128;50802053
2011-07-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
626-632