GaAs中带填充效应与带隙重整化效应的竞争

摘要：

采用时间分辨线偏振光抽运-探测光谱研究常温下本征GaAs中载流子弛豫动力学,观察到饱和吸收和吸收增强现象.发现载流子浓度为2 × 1012 cm-3,探测光子能量小于1.549 eV时,饱和吸收现象比较明显,反之,有明显的吸收增强现象出现.载流子浓度大于7×1016cm-3的范围内,吸收增强信号随时问增大没有减弱的趋势,反而有继续增强的趋势.理论上,考虑带填充效应和带隙重整化效应的竞争,模拟得到与实验谱线相符合的结果.同时考虑带填充和带隙重整化效应,给出了用于拟合载流子寿命的新的经验公式.

关键词：飞秒抽运-探测光谱、带填充效应、带隙重整化效应、载流子寿命

所属期刊栏目：60

分类号：O473(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10974106;青岛科技大学引进人才科研启动基金4000022428;山东省杰出青年基金JQ201018;山东省自然科学基金重点项目ZR2009AZ002

在线出版日期：2011-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：604-608