不同晶系应变Si状态密度研究
应变Si技术是当前微电子领域研究发展重点,态密度是其材料的重要物理参量.本文基于应力相关KP理论,建立了(001),(101)和(111)晶面施加双轴应力形成的四方、单斜及三角晶系应变Si导带、价带态密度模型.结果表明,除单斜和三角晶系导带底态密度外,应力对其余各态密度均有显著影响.本文所得模型数据量化,可为应变Si材料物理的理解及其他物理参数模型的建立莫定重要理论基础.
应变Si、KP、态密度
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O481(固体物理学)
国家部委项目51308040203;9140A08060407DZ0103;6139801;高校基本科研业务费项目72105499;72104289
2011-07-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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