Al高掺杂浓度对ZnO导电性能影响的第一性原理研究
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在同等环境条件下,建立了未掺杂和三种不同浓度的Al原子取代Zn原子的Zn1-xAlxO模型,然后分别对模型进行了几何结构优化、总态密度分布和能带分布的计算.结果表明:ZnO高掺杂Al的条件下,随掺杂Al原子浓度增大,进入导带的电子增多,电子迁移率减小,电导率减小,导电性能减弱;但是随高掺杂Al的浓度减小,反而使电子迁移率增大,电导率增大,导电性能增强.计算得到的结果与实验中Al原子掺杂浓度x≥0.02的变化趋势相一致.
Al高掺ZnO、电导率、浓度、第一性原理
60
TN304.21(半导体技术)
国家自然科学基金11062008;内蒙古自治区高等学校科学技术研究项目NJ10073;内蒙古工业大学科学研究计划ZD200916;内蒙古自然科学基金2010MS0801
2011-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
564-569
