90nm CMOS工艺下p+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

摘要：

基于3维TCAD器件模拟,研究了90 nm CMOS双阱工艺下P+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固.

关键词：电荷共享、单粒子效应、p+深阱掺杂、双极晶体管效应

所属期刊栏目：60

分类号：TN386.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金重点项目60836004;国家自然科学基金61006070

在线出版日期：2011-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：461-468