负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展

摘要：

GaN材料由于其优良的性能,成为紫外探测和真空电子源领域极具发展潜力的材料之一;目前制备的反射式GaN光电阴极的量子效率已达到70%以上,透射式也达到了30%.本文对GaN光电阴极的结构设计、表面清洗和Cs/O激活三大方面进行了综述,分析了影响量子效率的关键因素,并对今后可能的发展方向进行了展望.

关键词：GaN光电阴极、负电子亲和势、量子效率、进展

所属期刊栏目：60

分类号：O462.3(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金60871012

在线出版日期：2011-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：823-829