Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究

摘要：

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(USPP)法,在广义梯度近似(GGA)下计算了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和光学特性.在蓝宝石衬底(0001)晶面上用脉冲激光沉积(PLD)法制备了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3薄膜,测量了其吸收光谱和反射光谱.Si掺杂后β-Ga2O3的整个能带向低能端移动,呈现n型导电性,光学带隙增大,吸收带边蓝移,反射率降低.计算结果与相关实验结果完全符合.

关键词：第一性原理、超软赝势、密度泛函理论、Si掺杂β-Ga2O3

所属期刊栏目：60

分类号：O481(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10974077;山东省自然科学基金ZR2009GM035;山东省高等学校科技计划项目J10LA08

在线出版日期：2011-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：560-566