Sr/Si界面沉积SrTiO3初始生长阶段的扫描遂道显微术研究

摘要：

本文工作利用脉冲激光沉积术(PLD)和超高真空扫描隧道显微术(UHV-STM),研究了在Sr/si(001)-(2×1)衬底表面上真空室温沉积几个单层SrTiO3薄膜的初始生长过程.经660℃退火处理后,Sr/Si衬底表面上形成了纳米岛状结构.经分析,这些纳米小岛为C49-TiSi2和C54-TiSi2.实验结果表明,在没有氧气的情况下退火,Sr/Si界面无法有效阻止SrTiO3薄膜与Si衬底之间的相互作用.

关键词：脉冲激光沉积术(PLD)、扫描隧道显微镜(STM)、SrTiO3、C54-TiSi2

所属期刊栏目：60

分类号：TH742(仪器、仪表)

资助基金：国家自然科学基金60771006

在线出版日期：2011-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：494-502