InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

摘要：

利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs 三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.

关键词：纳米线异质结构、InxGa1-xAs、组分渐变缓冲层、金属有机化学气相沉淀法

所属期刊栏目：60

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2010CB327600;"111"计划项目B07005;国家高技术研究发展计划2009AA03Z405;2009AA03Z417;中央高校基本科研业务费专项资金BUPT2009RC0409;BUPT2009RC0410

在线出版日期：2011-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：421-426