相位失配与材料吸收对利用GaSe差频产生太赫兹波功率影响的研究
从理论上分析了相位失配与材料吸收在利用GaSe非线性差频产生太赫兹(THz)波中的影响,计算得到了4种不同情况下的晶体最佳长度值和相应THz最大功率,计算了角度失配对于相位失配的影响,计算结果为非线性光学差频实验提供了重要参考依据和理论设计基础.
太赫兹波、GaSe晶体、相位失配、材料吸收
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O4(物理学)
中国科学院重大科研装备研制项目YZ200835;上海市优秀学科带头人基金10XD1404800
2011-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
298-304