射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究

摘要：

采用射频(rf)激发,在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元,测量了rf激发HWCVD(rf-HWCVD)的光发射谱,比较了相同工艺条件下rf-HWCVD和等离子体增强CVD(PECVD)的光发射谱,分析了rf功率、热丝温度和沉积气压对rf-HWCVD光发射谱的影响.结果表明,在射频功率<0.1W/cm1时,rf-HWCVD发射光谱反映了HWCVD高的气体分解效率和高浓度原子氢的特点,能够解释气压变化与微晶硅薄膜微结构的关系,是研究HWCVD气相过程的有效方法之一.

关键词：HWCVD、OES、微晶硅

所属期刊栏目：60

分类号：O484.41(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2006CB202601;中国科学院知识创新工程重要方向项目

在线出版日期：2011-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：742-748