退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386nm和388nm发射峰的影响

摘要：

10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370-400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于-3.21 eV和～3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大.退火温度为1573 K时,随着退火时间的延长,PL结果与30 min退火的变化趋势一致.相同的退火条件下,386 nm和388 nm两个发射峰的低温PL结果与材料中本征缺陷的PL结果一致,是它们微扰势相互作用的结果.

关键词：光致发光、退火处理、能级、4H-SiC

所属期刊栏目：60

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60876061;预研基金9140A08050508;陕西省13115创新工程2008ZDKG-30

在线出版日期：2011-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：539-542