X射线吸收谱对Ga0.946Mn0.054As薄膜中缺陷的研究

摘要：

采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(Mn1)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(Ts=200℃)下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子(AsGa)为主;较高生长温度(Ts>230℃)时样品中主要缺陷是Mn间隙(Mn1)原子.同时,在较高低温退火温度(250℃)下可以使样品内部Mn1向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度(130 K).XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的Mn1原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度.

关键词：Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体、X射线吸收谱、As反位缺陷、Mn间隙原子

所属期刊栏目：60

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目基金084N541121

在线出版日期：2011-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：429-434