水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究

摘要：

使用正电子湮没寿命谱和正电子寿命-动量关联谱对水蒸气和真空条件下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构进行表征,结合发射光谱测量结果,对影响多孔硅发光性能的因素进行了讨论.实验结果表明,水蒸气退火后样品孔壁表面的悬挂键减少,并出现新的E'r和EX类缺陷.水蒸气退火后样品中两种缺陷数量发生变化是导致多孔硅样品发光增强的直接原因;真空退火未使样品中发光相关缺陷发生变化,样品的发光性能没有显著改变.

关键词：多孔硅、光致发光、正电子湮没谱

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10835006;10705031

在线出版日期：2011-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：8915-8919