高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型
在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的Ge组分、应变Si层厚度的关系.研究结果表明阈值电压随弛豫层中Ge组分的提高和应变Si层的厚度增加而降低.此外,还分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系.研究结果表明闭值电压随高k介质的介电常数的增加而增大,随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大.研究了该结构的短沟道效应SCE(shott channel effect)和漏致势垒降低DIBL(drain induced barrier lowering)效应,结果表明该结构能够很好地抑制SCE和DIBL效应.
应变Si、高k栅、短沟道效应、漏致势垒降低
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O6(化学)
国家自然科学基金60976068;60936055;教育部科技创新工程重大项目培育基金708083;教育部博士点基金200807010010
2011-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
8131-8136
