In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律

摘要：

用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同In含量的In,Co4Sb12(x=0.1-0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米Insb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800 K时,In0.35Co4Sb12样品的最大热电优值(ZT值)达到了1.21.

关键词：Insb、CoSb3、热电性能

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2007CB607501;国家自然科学基金重点项目50731006;国家111计划B07040

在线出版日期：2010-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：7219-7224