a-Si:H/c-Si异质结太阳电池J-V曲线的 S-Shape现象

摘要：

通过异质结界面分析与AMPS模拟计算研究了a-Si:H/c-Si异质结太阳电池在低温工作、a-Si:H 层低掺杂、高价带补偿以及高界面态时光态J-V曲线出现S-Shape现象的物理过程,总结了S-Shape现象的物理原因.分析结果表明,当空穴输运受到界面势垒的限制时,空穴在c-Si界面附近聚集,能带重新分配,c-Si耗尽区的电场减小,更多的电子从c-Si准中性区反转至c-Si界面及耗尽区与空穴复合,复合速率显著增大,光电流的损失显著增大,光态J-V曲线反映为S-Shape现象.

关键词：模拟、异质结太阳电池、a-Si、H/c-Si异质结

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2010-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：6538-6544