铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

摘要：

利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2.的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM'98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98和SRIM 2006计算的理论值都符合较好,TRIM'98计算的理论值与试验值符合得更好一些.

关键词：离子注入、6H-SiC、卢瑟福背散射技术、横向离散

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：山东建筑大学校内基金XN070109

在线出版日期：2010-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：6390-6393