AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究

摘要：

考虑了势垒层、缓冲层体陷阱及表面电荷的浓度变化对电流坍塌和膝点电压的影响,发现表面电荷和势垒层体陷阱浓度的变化对沟道电子的浓度影响较小,表面电荷浓度变化下的膝点电压的偏移和坍塌强度的大小与势垒层势阱能量的变化有着主要的关系.缓冲层有着比势垒层更强的局域作用,势垒层和缓冲层的体陷阱浓度在一定范围变化时的膝点电压偏移主要是由沟道电子浓度的变化而引起的,但偏移量却比表面电荷浓度变化的情况下小很多.势阱能量的变化是造成膝点电压偏移的重要原因,坍塌强度主要取决于势阱能量和沟道的电子浓度.

关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管、电流坍塌、膝点电压、陷阱俘获

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10747162;上海应用材料研究与发展基金08520740600;中国科学院上海技术物理研究所创新专项Q-ZY-7;Q-ZY-4

在线出版日期：2010-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：5730-5737