3C-SiC材料P型掺杂的第一性原理研究

摘要：

采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ca在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B.

关键词：SiC、电子结构、掺杂、第一性原理软件

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金重点项目20736002

在线出版日期：2010-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：5652-5660