离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究
室温下,用80 keV N+和400 keV Xe+离子注入ZnO薄膜,注入剂量分别为5.0×1014-1.0×1017/cm2和2.0×1014-5.0×1018/cm2.利用拉曼散射技术对注入前后的ZnO薄膜进行光谱测量和分析,研究了样品的拉曼光谱随离子注入剂量的变化规律.
ZnO薄膜、离子注入、拉曼光谱
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O4(物理学)
国家重点基础研究发展计划项目2010CB832902;国家自然科学基金10835010
2010-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
4831-4836