组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响

摘要：

用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18 nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10 nm增加到160 nm,肖特基接触的电流-电压(I-V)曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ΦB的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测试表明,Ni膜厚为30至70 nm范围时能稳定得到性质较好的欧姆接触.证实了之前认为Ni/SiC高温退火后富碳层存在一个合适范围以形成良好欧姆接触的结论.

关键词：碳化硅、肖特基接触、欧姆接触、组合材料方法

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划2006AA03A146;中国科学院知识创新项目KGCX2-YW-206;上海市科学技术委员会09DZ1141400;09520714900;高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金SKL200810SIC

在线出版日期：2010-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：3466-3472