熔体旋甩工艺对n型InSb化合物的微结构及热电性能的影响

摘要：

采用新颖的熔体旋甩结合放电等离子烧结技术制备了单相InSb化合物,研究了熔体旋甩工艺对其微结构以及热电性能的影响.结果表明,熔体旋甩得到的薄带自由面主要由300 nm-2μm的小柱状晶组成,薄带接触面为非晶或精细纳米晶,薄带经烧结后得到了具有大量层状精细纳米结构的致密块体,尺寸约为40 nm.与熔融+放电等离子体烧结制备样品相比,在测试温度范围内(300-700 K),试样的电导率略有下降,但Seebeck系数显著增加,热导率和晶格热导率显著降低,室温下晶格热导率降低幅度约为10.6%,700 K下晶格热导率的降低幅度达16.64%,熔融+熔体旋甩+放电等离子体烧结制备的InSb化合物试样在700 K时其最大ZT值达到0.49,与熔融+放电等离子体烧结试样相比提高了29%.

关键词：熔体旋甩、n型Insb化合物、微结构、热电性能

所属期刊栏目：59

分类号：O6(化学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2007CB607501;国家自然科学基金重点项目50731006

在线出版日期：2010-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：2860-2866