掺铋BaF_2晶体的制备及其近红外发光研究
通过温度梯度法制备了Bi_2O_3:BaF_2以及BiF_3:BaF_2晶体.在Bi_2O_3:BaF_2晶体中观察到了发光峰位于961 nm,半高宽202 nm的超宽带红外发光.在BiF3:BaF2晶体中检测到Bi~(2+)和Bi~(3+)可见区的发光,但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF_3:BaF_2晶体的近红外发光,发光峰位于1135 nm,半高宽192 nm.讨论了Bi_2O_3和BiF_3掺杂BaF_2晶体的红外发光的机理.
近红外发光、铋、氟化钡晶体、γ辐照
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O6(化学)
国家自然科学基金60778036;上海市科技委员会自然科学基金08ZR1421700
2010-07-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
2827-2830