CHF_3双频电容耦合放电等离子体特性研究

摘要：

研究了用于SiCOH低介电常数薄膜刻蚀的CHF_3气体在13.56 MHz/2 MHz,27.12 MHz/2 MHz和60 MHz/2MHz双频电容耦合放电时的等离子体性质.发现2 MHz低频源功率的增大主要导致F基团密度的增大;而高频频率从13.56,27.12增大到60 MHz,导致CF_2基团的密度增大和电极之间F基团密度的轴向空间不均匀性增加.根据电子温度的分布规律及离子能量随高频源频率的变化关系,提出CF_2基团的产生主要通过电子-中性气体碰撞,而F基团的产生是离子-中性气体碰撞的结果.

关键词：双频电容耦合放电、CHF_3等离子体

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10575074;10975105;10635010

在线出版日期：2010-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：2661-2665