大气压等离子体辅助多晶硅薄膜化学气相沉积参数诊断
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

大气压等离子体辅助多晶硅薄膜化学气相沉积参数诊断

引用
本文采用发射光谱法诊断了大气压下Ar气、SiCl_4及H_2气混合气体(Ar/SiCl_4/H_2)射频放电等离子体射流特性.利用Si原子谱线强度计算了电子激发温度并以此估算了Si原子数密度,研究了射频功率及气体流量对电子激发温度和Si原子数密度以及SiCl_4解离率的作用.

大气压等离子体射流、发射光谱、电子激发温度、多晶硅薄膜沉积

59

O4(物理学)

国家自然科学基金10775026;10675028

2010-07-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

2653-2660

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

物理学报

1000-3290

11-1958/O4

59

2010,59(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn